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上海集成電路材料研究院Shanghai Institute of IC Materials
2024年9月
上海集成電路材料研究院（以下簡稱“集材院”）成立于2020年6月，是聚焦集成電路襯底材料、工藝材料和原材料、零部件材料以及產業關鍵技術研發與產業化的新型研發平臺，為集成電路材料發展提供堅實的創新策源。
Shanghai Institute of IC Materials (SICM) was established in June 2020.It is a new type of R&D platform focusing on the development and industrialization of key technologies for IC substrate materials, process materials, raw materials & supporting materials, etc.
核心技術Core Technology
集材院研發合作方向覆蓋襯底材料、工藝材料、原材料及配套材料，包括300mm大硅片、新型SOI襯底、高端光刻膠、先進掩模版、先進拋光材料、高純工藝化學品、前驅體、零部件材料等方向,為相關企業提供性能測試、工藝驗證、計算仿真等技術開發及技術服務。
The R&D layout of SICM covers substrate materials, process materials and raw materials & supporting materials, including 300\mathsf{mm} wafer, Sol, photoresist, photomask, polishing material, wet chemical, precursor, parts, etc. SICM provides technial service, including performance testing, process validation, computational simulationforICcompanies.
研發合作方向R&D Cooperation
服務能力Service Capabilities
多元化合作模式賦能合作伙伴ServiceCooperationModel
技術服務
技術轉讓
技術開發R&Dcooperation
Technical service
·材料表征測試服務Materialcharacterization testingservice·材料工藝驗證服務Material processverification service·材料計算仿真服務Material computational simulation service
·技術委托開發服務
R&D technical solution
技術合作開發服務
Material commissioned development service
·下一代技術聯合開發
Next generation technology R&D
·IP授權 IPauthorization ·IP轉讓 IPtransfer 培育孵化 Project incubation
集成電路材料研發合作平臺ICMaterial R&DCooperationPlatform
集成電路材料在研發、生產過程中的質量管控至關重要，材料的各類性能會影響到終端的工藝表現。符合用戶單位最終需求的集成電路材料需要檢測分析、工藝技術、生產設備的協同配合。上海集成電路材料研究院面向集成電路材料研發共性問題，建設開放性的集成電路材料研發合作平臺，提供材料研發、性能檢測、工藝驗證、計算仿真等服務，為企業提供材料研發至制造應用的直通車。
The quality control of IC materials during the R&D and production process is crucial, as the various properties of the materials can affect the final process performance. IC materials that meet the enduser's requirements need to be tested and analyzed, and require the coordinated support of process technology and production equipment. Shanghai Institute of IC Materials has established an open IC materials R&D cooperation platform. It provides service such as material R&D, performance testing, process verification, and computational simulation, offering enterprises a direct path from material development to manufacturing applications.
產業技術實驗室（路徑探索）
ICMaterial Industrial Technology Laboratory(PathExploration)
·可針對需求形成集成電路材料研發的技術方案，解決技術開發難點、痛點 Formulate technical solutions according to requirements, solving R&D difficulties and pain points
·結合計算仿真模擬形成材料研發模型，減少開發投入成本 Formulate material development model through computational simulation,to help reduce the cost of development investment
，通過合成、純化、配方技術形成樣品并進行基礎應用驗證，可持續迭代開發
Formulate samples through synthesis,purification and formulation techniques,and conduct basic applicationverification,enablingsustainableiterativedevelopment
技術研發 Technology R&D
合成技術 Compositing Service
擁有100-10000級的合成實驗室，從事結構精準可控的集成電路材料的聯合開發和定制合成 Wehave10-00lev&andmlificatinsythsisboratryengagedinthejntevelpment andcustomizedsnthesif ICmaterialswithaccurateandcontrollablestructure.
·純化技術 Purification Service
擁有10-100級的純化實驗室，進行聯合研發和定制純化，制備純度達到ppb、ppt級金雜含量的集成電路材料 Wehaveapurificationlaboratoryf10-00grades,conductsjointR&andcustompurification,alsocanprepare IC materials with purity of ppb and ppt.
配萬技術 Formulation Service
擁有100-10000級的配方實驗室，可針對客戶所需的原材料和配方定制小批量開發，以確保其性能、效果和質量。
Wehavemlaratryflelwhaellrmatrialsdfolateq customerstoensure theirperformance,effect,andquality.
性能實驗室（檢測分析） ICMaterial PerformanceLaboratory(TestingandAnalysis)
·提供全面、系統性的集成電路材料理化性能測試分析 Offer comprehensive and systematic testing and characterization analysisof ICmaterials
·提供針對集成電路材料關鍵性能控制指標（COA）的對比檢測服務Offer comparative testing services for key performance control indicators
·提供材料研發中缺陷原因探究、成分分析、結構分析等服務 Offer services such as defect cause investigation, composition analysis
元素分析 Elemental Analysis
構造解析 structural Analysis
表面分析 surface Analysis
色譜分析 Chromatographic Analysis
形態觀察Morphological Observation
熱分析 Thermal analysis
應用實驗室（應用驗證） ICMateraicApplication Laboratory(ApplicationValidation)
·設計短流程工藝，對集成電路工藝材料提供應用研發環境 Design short-loop process and provide application R&D environment for IC process material:
·將工藝流程和材料研發結合，為材料企業加速材料開發提供技術支持 Combine process flow with material R&D to accelerate material R&D by providing technical support
·對特定的集成電路工藝材料，形成集材料-工藝-設備-測試的整體解決方案
For specific IC process materials, SICM offer an overall solution including material-process-equipment -measurement
應用實驗室具備晶圓鍵合、晶圓減薄、干濕法刻蝕、物理和化學氣相沉積、原子層沉積、化學機械研磨、濕法清洗、自動化量測等核心工藝能力，為材料提供工藝驗證環境。
Theapplicationlaboratoryhascoretechnologicalcapabilitiessuchaswaferbonding,wafer thinning,wet and dry etch,CMP,PVD/CVD/ALD,wet，automaticmeasurement,etc.,and providesa processverificationenvironment formaterials.
化學機械研磨（CMP）設備CMP Equipment
濕法刻蝕設備 Wet Etching Equipment
前道刷洗設備Front Brushing Equipment
單片刷洗設備 Single waper Cleaning Equipment
化學氣相沉積(CVD)設備
8英寸全晶圓高通量集設備 (PVD+ALD+XPS) 8 Inch Full Wafer High Throughput Cluster Device (pvd+ald+xps)
Chemical Vapor Deposition (CVD) Equipment
原子層沉積(ALD)設備AtomicLayer Deposition(ALD) Equipment
圖形量測設備 Graphics Measurement Equipment
表面形貌分析設備Surface ProfileMeasuring Instrument
膜厚應力量測設備 Film Thickness And Stress MetrologyEquipment
膜厚量測設備 Film Thickness Measurement Equipment
顆粒量測設備 Graphics Measurement Equipment
計算實驗室（仿真計算）
ICMaterial ComputingLaboratory(SimulationCalculation)
集成電路材料基因組平臺從產業界實際需求出發，運用材料跨尺度計算，結合研發過程中積累的實驗數據，形成集成電路材料基因庫，再利用人工智能的手段進行分析建模，與材料跨尺度計算相互協同，探索材料構效關系模型，為提高用戶產品性能指明方向。
The IC material genome platform starts from the actual needs ofthe industry, using cross-scale material calculations, combined with experimental data accumulated during the R&D process, to form an IC material gene bank. Then, using artificial inteligence for analysis and modeling,it works in conjunction with cross-scale material calculations to explore the material structure-performance relationship model, pointing the direction forimproving user product performance.
集成電路材料創新聯合體于2023年由上海集成電路材料研究院發起設立。創新聯合體圍繞集成電路材料共性研發問題，組織協調力量共同解決，并建立資源共享機制，幫助企業降低綜合研發成本，縮短產品上市周期。同時,創新聯合體定期發布行業調研、技術路線圖等,引導產業良性、可持續發展。
ls coletilsbsil releasenstrclrmtrtdtustwrdutinenlth
\{\hat{+}_{i}^{7} 聯合體目標、宗旨 consortium Objectives And Principles
發揮企業出題者作用，推進集成電路材料重點項目協同和研發活動一體化，加快構建龍頭企業牽頭、高校院所支撐、各創新主體相互協同的創新聯合體，發展高效強大的共性技術供給體系，提高科技成果轉移轉化成效。攜手打造集成電路材料支撐集成電路產業可持續發展創新生態鏈。
Tprmttalattfn unest devtstyeafrleustbvths growth and evolution.
階段性成果 Phased Achievement
·協同上下游材料合作研發 Collaborate with upstream and downstream materials in joint research and development \surd 大硅片平坦化、HK材料、含氟材料等方向 300mmafeMmatrialrinentainingmaterial ·產業信息分享引導產品技術方向 Shareindustrinformationtoguidethedirectionofproductandtechnolgy \surd 16個領域產業信息 \surd 10萬+詞條 16 field industryinformation,more than 100,000 entries 行業活動推動產業技術問題攻關 Industry activities promote the resolution of industrial technical problems √15家用戶單位發題 \surd 400次產業對接
15usernitssuedqstions00ndustrialockings
創新聯合體成員單位
地址丨上海市嘉定區皇慶路333號 Add No.333, Huangqing Road, Jiading District, Shanghai, China
郵箱linfo@sicm.com.cn E-mail
電話丨+(86)21-6229 0628Tel
網站Iwww.sicm.com.cnWeb
集材檢測網服務設備手冊
集材檢測網是由上海集成電路材料研究院（以下簡稱“集材院”）發起成立的一站式檢測服務商城，主要聚焦于集成電路材料以及零部件材料等相關領域的檢測服務。
集材檢測網擁有CNAS、CMA等專業資質證書和ICPMS、NMR、SEM等一流品牌專業儀器以及高素養的測試工程師團隊，以高水準，高效率的服務幫助企業進行產品研發測試。
訪問途徑：
1、網站端：集材檢測網https://www.icmtest.com.cn/
2、小程序：微信公眾號搜索"集材檢測“即可訪問
| 序号 | 设称 | 设备 | 设备能力 |
| 1 | 核磁共振 波谱仪 NMR | 布鲁克 | 1.设备原理：在强磁场环境下，原子核的能级会发生分裂。当这些原子核吸收外部电磁辐射时，它们会经历核能级的跃迁，这 就是所谓的核磁共振(NMR)现象。为了使射频场的能量能够有效地被原子核吸收，进而促进能级跃迁，射频场的频率必须与 原子核自旋进动的频率相匹配。因此，对于特定类型的原子核和给定的外部磁场，它们只会吸收特定频率射频场提供的能量， 从而产生一个独特的核磁共振信号。NMR技术主要研究的是原子核在强磁场中对射频辐射的吸收特性。 2.主要技术指标： 射频频率范围：6-440MHz，频率分辨率≤0.005Hz；灵敏度： 1H>500:1,13C>220:1,15N>25:1,31P>150:1,19F>500:1液体探头； 3.主要功能及服务内容：一维谱：1HNMR、13CNMR、DEPT90/135/145、1H/13CqNMR,杂核、溶剂峰压制、选择性激发等 二维谱:COSY、NOESY、TOESY、ROESY、1H-1HJRES |
| 2 | 自动晶圆 表面处理器 (VPD) | PVA TePla | 4.样品要求：非磁性及非导电性，含盐需说明；样品量：1H谱(2~20mg）、13C谱（20mg以上）、定量（60mg以上)，大分子需增 加；溶剂：注明所需要的气代溶剂且溶剂信号不能与样品信号重叠；样品溶解度越大越好。 1.设备原理：用氢氟酸蒸汽分解硅片表面的氧化层，形成疏水性表面,再用含有氢氟酸的提取液提取硅片表面的痕量金属形 成扫描溶液。与ICPMS联用，可测金属元素含量。 2.主要技术指标：真空：≤850hPa扫描速度：5-60mm/s 3.主要功能及服务内容：硅片表面前处理：收集金属元素到扫描溶液（分析试液）中。 |
| 3 | 紫外可见 分光光度计 | 日本岛津 | 4.样品要求：6寸，8寸，12寸硅片 1.设备原理：是以紫外线-可见光区域电磁波连续光谱作为光源照射样品，研究物质分子对光吸收的相对强度的方法。物质中 的分子或基团吸收了入射的紫外可见光能量后，电子间发生能级跃迁，产生具有特征性的紫外可见光谱。这些光谱可以用于 确定化合物的结构和表征化合物的性质 2.主要技术指标：测量波长190nm至1100nm 3.主要功能及服务内容：单波长测量、多波长测量、扫描测量、色度 |
| 4 | Uv紫外可见 近红外分光 光度计 | PE | 4.样品要求：澄清的液体，50mL 1.设备原理：紫外分光光度计的原理在于物质对光的吸收具有独特性。当光源发出的连续光谱通过单色器分解成单一色光 后，这些单色光通过吸收池时，部分光被样品吸收，未被吸收的光到达检测器并被转换为电信号。通过测量特定波长下的吸光 度，可以推算出样品的浓度。 2.主要技术指标：光源：钨灯和气灯；工作范围：175-3300nm;紫外-可见区波长精度：0.025nm；近红外区波长精度：0.02mm 3.主要功能及服务内容：检测固体材料的吸收系数、透过率和反射率 4.样品要求：透射：不小于2cm×3cm；反射：不小于1cm×0.3cm;漫反射：不小于2.5cm×2.5cm; |
| 5 | FTIR傅里 叶红外光谱 | 赛默飞 | 1.设备原理：红外光谱是分子能选择性吸收某些波长的红外线，而引起分子中振动能级和转动能级的跃迁，检测红外线被吸 收的情况可得到物质的红外吸收光谱。 2.主要技术指标：光谱范围：7800-350cm-1,分辨率：≤0.09cm-1 3.主要功能及服务内容：鉴别聚合物的结构组成或确定其化学基团，可用于进行定量分析和纯度鉴定，物质定性，提供许多关 于官能团的信息，可以帮助确定部分乃至全部分子类型及结构 |
| 6 | 电感耦合 等离子体 发射光谱仪 | PE | 4.样品要求：固体薄片(透光，大小至少1*2CM)，粉末样品(无磁性) 1.设备原理：样品通过雾化系统雾化后形成气溶胶，进入等离子体炬管。样品中的原子或离子在等离子体的高温作用下被激 发到高作，返回分，会释放特定波长的光。每种元焉有其瘦的的性征，可用于定性和定是分析，光谱仪通过分光 2.主要技术指标：主要应用于对各类样品中微量及痕量元素的定性、半定量和定量分析 3.主要功能及服务内容：测试样品中的金属元素含量 |
| 7 | X射线 荧光光谱仪 XRF | HORIBA | 4.样品要求：液体,20ml以上 1.设备原理：X射线荧光(XRF)是由于原子内层电子跃迁释放能量形成的，这一过程产生具有特定能量的二次X射线。通过测 量这些X射线的波长或能量，可以识别并定量分析样品中的元素。 2.主要技术指标：能量分辨率≤145eVX射线荧光强度≥600kcps/mA 3.主要功能及服务内容：XRF可无损分析材料中的成分，可进行定性和定量分析，广泛用于元素分析，特别是在金属，玻璃，陶 瓷等的研究，还可用于金属薄膜成分及厚度分析。 |
| 8 | 电导率仪 | 梅特勒-托利多 | 4.样品要求：不大于100mm*100mm，高度不超过80mm，表面平整。 1.设备原理：PH设备的在温度保持恒定的情况下，由于参比电极提供稳定的电位，因此溶液与电极所组成的原电池的电位变 化仅与玻璃电极的电位相关，而玻璃电极的电位又直接受到待测溶液PH值的影响。由此，我们可以通过测量电位的变化来精 确确定溶液的PH值 2.,率设条的原理是通过测导电解质溶液的导电能力来测定其电导率。 3.主要功能及服务内容：溶液PH及电导率 |
| 9 | 国含量 | 米德电子 | 4.样品要求：液体,20mL 1.设备原理：样品放在样品盘中，利用卤素灯(环形450w)加热，升温结束后仪器自动记录水分/固含/重量值 2.主要技术指标：水分检率：0.0019水重度：0.1固含含量 4.样品要求：样品一般测试粉末、颗粒、薄片，样品含量需要根据含水量进行估计 |
| 名称 | 厂商 | ||
| 10 | 国含量 | 梅特勒-托利多 | 1.设备原理：该仪器通过测量样品在加热干燥过程中失去的水分含量来计算固含量。 2.主要技术指脲：测：40230℃C天平范国0-20g，测量精度0.01%0 4.样品要求：液体：10ml左右；固体：可破坏，2g以上 |
| 11 | 液体颗粒 | Rion | 1.设备原理：光照射到从进口端进入的样品时粒子也从光线中通过，发生光散射。光检机器把探测到的散射光转化成电信号。 电信号的强度代表着粒子大小，侦测到散射光的频率则代表着颗粒数量 2.主要技术指标：光学元件0.2um检测粒径范围：0.15um-0.5um,建议浓度：1200pcs/ml 3.主要功能及服务内容：检测液体样品中颗粒的大小及分布 4.样品要求：液体,100ml左右 |
| 12 | 液体颗粒 计数器 | Rion | 1.设备原理：一束经聚焦的激光垂直于液体电子化学品流向方向入射，化学品中的颗粒将产生光散射效应，散射光的强度与 颗粒的大小具有一定的关系。光检机器把探测到的散射光转化成电信号。电信号的强度代表着粒子大小，侦测到散射光的频 率则代表着颗粒数量 2.主要技术指标：光学元件0.2um检测粒径范围：0.2um-2um,建议浓度：1200pcs/ml 3.主要功能及服务内容：检测液体样品中颗粒的大小及分布 4.样品要求：液体,100ml左右 |
| 13 | 液体粒 | Rion | 1.设备原理：光照射到从进口端进入的样品时粒子也从光线中通过，发生光散射。光检机器把探测到的散射光转化成电信号。 电信号的强度代表着粒子大小，侦测到散射光的频率则代表着颗粒数量 2.主要技指标;检测粒径测围：0颗1，,建议浓度120pc/ml 4.样品要求：液体,100mL左右 |
| 14 | （自动）电位 | 梅特勒-托利多 | 1.设备原理：通过测量电极电位的变化来确定滴定终点。 2.主要技指(mpH,测量位:200~ 200m,电流:0 ~2A,测量分辨率:电位:0.1my,电流0.1uA 4.样品要求：100mL |
| 15 | 万通自动 | 瑞士万通 | 1.设备原理：通过测量滴定过程中电极电位的变化来确定反应终点。仪器自动添加滴定剂，实时监测电位变化，当电位突跃 (对应滴定终点)时停止滴定,计算被测物浓度。 2.主要围：化流A精度0.1 4.样品要求：液体样品需澄清，无悬浮物；避免高粘度或含气泡样品 |
| 16 | 卡尔缴休 | 梅特勒-托利多 | 1.设备原理：仪器的电解池中的卡氏试剂达到平衡时注入含水的样品，水参与碘、二氧化硫的氧化还原反应，在吡啶和甲醇存 在的情况下，生成氢碘酸吡啶和甲基硫酸吡啶，消耗了的碘在阳极电解产生，从而使氧化还原反应不断进行，直至水分全部耗 2.,为止,依指法拉测电解定律, 电解产生碘是同电解时耗用的电量成正比例关系。 3.主要功能及服务内容：测试样品中水分含量(0-100%) 4.样品要求：1.溶液样品；2.样品体系内不含醛酮结构；3.固体样品若具备较强吸水性，须做好密封或溶解后送样 |
| 17 | 卡尔费休 | 梅特勒-托利多 解后送样 | 1.设备原理：存在于试样中的任何水分(游离水或结晶水)与已知滴定度的卡尔·费休试剂(碘、二氧化硫、吡啶和甲醇组成的 溶液)进行定量反应。 2.主要技指：围：1品1含量(000%） 4.样品要求：1.可接受固体和溶液状态的样品;2.样品体系内不含醛酮结构;3.固体样品若具备较强吸水性,须做好密封或溶 |
| 18 | 色度仪 | HunterLab | 1.设备原理：通过分析试样上的反射光来计算颜色的坐标 2.主要技术指标：测量范围从360nm到780nm，效带宽10nm 3.主要功能及服务内容：色度 4.样品要求：固体薄片，液体20mL |
| 号 | 名称 | 厂商 | 设备能力 |
| 19 | 旋转粘度计 | 宏阔 | 1.设备原理：利用旋转转子与被测液体之间发生的剪切作用来测量液体粘度 2.主要技术指标:0-6M(MPa.s)的液体粘度 3.主要功能及服务内容：测量液体粘度 |
| 20 | 密度计 | 梅特勒-托利多 | 4.样品要求：50mL 1.设备原理：密度计的工作原理主要基于振荡器原理和浮力原理。设备内置一个高频振荡器，当样品被放置在密度计的测量 腔中时，振荡器的振动频率会受到样品密度的影响。通过测量振荡器的频率变化，可以计算出样品的密度。 2.主要技术指标：密度测量范围：0.001-3.000g/cm²分辨率:0.0001g/cm² |
| 21 | 密度计 | 安东帕 | 3.主要功能及服务内容：主要用于溶液的密度测试。 4.样品要求：适用于溶液样品。样品应为均匀悬浮液，避免气泡和沉淀。 1.设备原理：密度计的工作原理主要基于振荡器原理和浮力原理。设备内置一个高频振荡器，当样品被放置在密度计的测量 腔中时，振荡器的振动频率会受到样品密度的影响。通过测量振荡器的频率变化，可以计算出样品的密度。 2.主要技术指标：密度温度范围15~60°℃，密度测量范围0~3g/cm²，密度精度0.0001g/cm3 3.主要功能及服务内容：液体密度 |
| 22 | 氧氮氢分析仪 | LECO | 4.样品要求：可溶剂清洗的溶液20mL 1.设备原理：样品在高温石墨坩埚中与情性气体反应，通过加热使样品中的氧、氮、氢元素以气体形式释放。氧通常以CO或 CO2形式释放，氮以N2形式释放，氢以H2形式释放，再通过氧化剂（氧化铜)氧化成气态H20。释放的气体通过热导检测器 (TCD)和非色散红外检测器进行定量分析，根据气体导热系数的差异来测量气体浓度。 2.主要技术指标：分析范围(基于1克样品*:氧:0.05 ppm-5.0%;氮:0.05 ppm-3.0%;氢:0.1ppm-0.25%分析精度： 氧：0.025ppm或RSD0.3%；氮：0.025ppm或RSD0.3%；氢：0.05ppm或RSD2.0% 3.主要功能及服务内容：各类金属，非金属及其他无机材料中氮、氧、氢含量的测定 |
| 23 | 碳硫分析仪 | Horiba | 4.样品要求：样品量:不小于3g 1.设备原理：碳硫气体分析仪的测试原理主要基于红外吸收光谱法。试样在高温炉中通氧燃烧，生成CO2和SO2气体。这些气 体通过气路处理系统进入二氧化碳和二氧化硫检测室。利用CO2和SO2在特定波长下对红外光的强吸收特性，通过测量气体 吸收光强的变化来分析CO2和SO2的含量，从而得到样品中碳和硫的百分含量 2.主要技术指标：分析范围（基于1g样品）：碳：0.6ppm-6%；硫：0.6ppm-6%；减少样品量可以扩展分析范围。分析精度： 碳:0.3ppm(标准偏差),RSD≤0.5%(相对标准偏差)硫：0.3ppm(标准偏差),RSD≤0.5%(相对标准偏差) |
| 24 | 维卡软化点 | 兹韦克罗睿 | 3.主要功能及服务内容：各类金属，非金属及其他无机材料中碳和硫的含量的测定 4.样品要求：样品量：不小于3g 1.设备原理：测定材料的硬度随温度的变化。在匀速升温过程中，标准压针在恒定压力作用下逐渐压入试样。随着温度升高， 材料的硬度降低，当压针达到规定的压入深度时，所对应的温度即为维卡软化点温度。 2.主要技术指标：温度范围20°℃~300°℃;温度传感器的温度分辨率≤±0.01°℃;位移传感器精度≤±0.002mm 3.主要功能及服务内容：测试高分子材料的热变形温度点 4.样品要求：必须是高分子材料；样品大小要求为平整的边长1cm的方片状 |
| 25 | 热重分析仪 | 化关系。 TA | 1.设备原理：利用热重法检测物质温度-质量变化关系的仪器。热重法是在程序控温下,测量物质的质量随温度(或时间)的变 2.主要技术指标:精度/检出限:RT~1000°℃;准确度±1°℃;1000mg;小于0.1 μg 3.主要功能及服务内容：测试高分子材料玻璃化转变温度或金属材料熔点等。 |
| 26 | 差示扫描量热仪 | TA | 4.样品要求:1).无挥发性物质;2).样品量须5-10mg。 1.设备原理：在程序控制温度下,测量输入到试样和参比物的功率差(如以热的形式)与温度的关系。它以样品吸热或放热的 速率，即热流率dH/dt(单位毫焦/秒)为纵坐标，以温度T或时间t为横坐标，可以测定多种热力学和动力学参数。 2.主要技术指标：范围:-180°C~725°C;准确度：±0.1°℃ 3.主要功能及服务内容：分析受热/放热过程中熔融/结晶温度。 |
| 27 | 热膨胀计 | 耐驰 | 4.样品要求:1).无挥发性物质;2).样品量须5-10mg。 1.设备原理：样品则处于可控温的炉体中，在程序温度变化的过程中，使用位移传感器可以连续测量样品的长度变化，即可据 此分析样品最终的热性能相关参数。 2.主要技术指标：测量范围：一般为0.025μum到10um分辨率：通常可达到0.001um温度范围:-150..1600℃C（不同炉体）测 试气氛：动态或静态；氧化、还原、情性、真空量程：土10000um测量分辨率：1nm 3.主要功能及服务内容：用于无机陶瓷、金属材料、塑胶聚合物、建筑材料、涂层材料、耐火材料、复合材料等热膨胀系数测试 |
| 28 | 灰分炉 | 1.设备原理：将待测样品在高温下燃烧，使其中的有机成分完全氧化，剩余的无机成分则形成灰分。 2.主要技术指标：最高温度：1100°℃炉膛材质：高纯石英 | |
| (箱式电阻炉) | 弗尔德 | 3.主要功能及服务内容：广泛应用于能源、化工、环保、食品等多个领域，通过灰分检测，可以了解物质中的无机成分含量 4.样品要求：重量不低于20g，粉末样品或细颗粒样品 1.设备原理：基于激光散射理论。当激光束照射到颗粒样品上时，光线会发生散射，散射角度与颗粒的大小密切相关。通过测 量不同角度下的散射光强，可以推断出颗粒的大小及分布情况。 | |
| 29 | 多角度激光 散射系统 (GPC联用) | WYNTT | 2.主要技术指标：检测的分子量范围：200-109Da;检测的分子尺寸范围：10-500nm；激光波长：658nm； 3.主要功能及服务内容：绝对分子量、分子粒径和分子形状，高分子在溶液中的构象;dn/dc指数测定;流体力学半径Rh分析； 4.样品要求：样品纯度较高，不含有对分析结果产生干扰的杂质和溶剂;样品在指定流动相中具有良好的溶解性；样品量约 50mg; 1.设备原理：利用多孔性凝胶填料的孔径大小将不同分子量的高分子化合物分离开来。当高分子化合物溶液通过装有多孔性 凝胶填料的色谱柱时，不同分子量的高分子化合物在填料孔隙中的行为不同，从而实现分离。 |
| 30 | 凝胶渗透色谱 | Waters | 2.主要技术指标：柱温箱：5~150°℃可控；流速精度≤0.075%RSD；检测器包含示差检测器（waters2414)和紫外吸收检测器 (waters2489)分子量检测范围：200～1,000,000 3.主要功能及服务内容：相对分子量Mn、Mw、Mp和PDI等 4.样品要求：样品纯度较高，不含有对分析结果产生干扰的杂质和溶剂；样品在指定流动相中具有良好的溶解性；样品量：可 为液体、粉末、块状样品，粉末样品1g,液体5-10ml; 1.设备原理：样品经处理后经过离子色谱柱交换分离，抑制型电导检测器检测，时间定性，峰面积定量。 |
| 31 | 离子色谱仪 | 赛默飞 | 2.主要技术指标:测试样品中的阴离子含量(氟离子，氯离子,溴离子,亚硝酸离子，硝酸根离子，硫酸根离子，磷酸根离子)和 铵根离子含量，检出限：阴离子 |
| 32 | 离子色谱仪 | 赛默飞 | 以及分析物溶质对交换剂亲和力的差别而被分离 2.主要技术指标：电导检测器 3.主要功能及服务内容：检测硝酸、氢氟酸阴离子 4.样品要求：液体，100mL |
| 33 | 离子色谱仪 | 赛默飞 | 1.设备原理：样品经处理后经过离子色谱柱交换分离，抑制型电导检测器检测，时间定性，峰面积定量。 2.主要技术指标:测试样品中的阴离子含量(氟离子，氯离子,溴离子,亚硝酸离子，硝酸根离子，硫酸根离子，磷酸根离子)和 铵根离子含量 3.主要功能及服务内容：检测前驱体中阴阳离子含量 4.样品要求：液体，100ml左右 |
| 34 | 气相色谱 | 安捷伦 | 1.设备原理：利用物质的的沸点、极性及吸附性质的差异实现混合物的分离，然后利用检测器依次检测已分离出来的组分。 2.主要技术指标：/ 3.主要功能及服务内容：测试样品中的已知有机物含量及纯度 4.样品要求：溶解于有机溶剂;样品中不能含有水，盐类和酸碱类等物质；应是易挥发的、热稳定的，沸点一般不超过500°℃,分 子量小于500的化合物 |
| 35 | 超高效 液相色谱 UPLC | Waters | 1.设备原理：UPLC的核心原理与HPLC相同，基于样品中各组分在流动相和固定相之间的分配差异进行分离。主要改进在于 使用了更小的颗粒填料（通常小于2um)和更高的系统压力(可达15,000psi或更高)，从而显著提高了分离效率和分析速度。 2.主要技术指标：配备PDA检测器，波长扫描范围190~800nm;样品室温度20.0-90.0°C内可控； 3.主要功能及服务内容：主成分和杂质的定性和定量检测分析； 4.样品要求：样品纯度较高，不含有对分析结果产生干扰的杂质和溶剂;样品在指定流动相中具有良好的溶解性;样品量约 10mg以上; |
| 36 | 液相制备 | Waters | 1.设备原理：有机小分子化合物混合物经过液相色谱柱后，分离提纯成纯的有机物。 2.主要技术指标：/ 3.主要功能及服务内容：用于有机小分子化合物提纯。 4.样品要求：有机小分子化合物，且该小分子具有明显的紫外吸收。 |
| 亏 | 名称 | 厂商 | |
| 37 | 凝C修癌谱 | Waters | 1.设备原理：当聚合物溶液通过色谱柱时，体积大的高分子化合物由于不能进入凝胶孔，会最先从凝胶粒间流出，淋出体积 (时间)最小。随后，高聚物依分子量从大到小依次淋出。 2.主要技术指标：/ 3.主要功能及服务内容：用于有机高分子物质分子量测量。 |
| 38 | 燃烧炉离子 色谱仪 | 日东精工 +赛默飞 | 4.样品要求：有机高分子化合物，有机溶剂可溶。 1.设备原理：通过高温燃烧分解样品，释放目标元素，将燃烧后的气体溶解在吸收液中，然后通过离子色谱分析分析溶液中的 离子。 2.主要技术指标：燃烧炉的温度范围高达1000°℃ |
| 39 | 金相显微镜 | olympus | 3.主要功能及服务内容：氟、氯、溴、碘、硫元素测试 4.样品要求:1000℃以下可分解的固体、液体 1.设备原理：利用光学技术来放大和观察样品表面反射的光线。 2.主要技术指标：支持明场，暗场，偏光，DIC等模式观察放大倍率最大超过2500倍 3.主要功能及服务内容：主要用于观察和研究金属材料的显微组织，以及其它材料的显微组织观察和尺寸测量。 4.样品要求：样品尺寸不超过Φ300mm，高度不超过75mm |
| 40 | 扫描电镜 | 日立 | 1.设备原理：通过电子枪发射出一束电子，这些电子在电磁透镜的聚焦和加速作用下，形成一束高能量且细小的电子束。在扫 描线圈作用下，控制电子束在样品表面进行精细扫描。当电子束与样品表面的原子相遇时，会发生一系列相互作用，产生诸如 二次电子、背散射电子等信号。这些信号被探测器捕捉，并转换成电信号。经过放大和处理，这些信号最终以图像的形式呈现。 2.主要技术指标：1.SE分辨率：≤0.7nm@15KV，≤0.7nm@1KV 3.主要功能及服务内容：观察材料表面形貌信息，配合能谱仪进行微区成分分析 |
| 41 | 聚焦离子束 (FIB) | 蔡司 | 4.样品要求：固体样品无特殊要求，尽量切小块、薄片或粉末状。磁性样品及毒性、放射性样品需要特殊备注 1.设备原理：FIB是将离子源产生的离子束经过离子枪加速，聚焦后作用于样品表面。外加电场与液相金属离子源可使液态家 形成细小尖端，再加上负电场牵引尖端的家，而导出镓离子束，在一般工作电压下，尖端电流密度约为1埃10-8Amp/cm2，以 电透镜聚焦，经过一连串变化孔径，可决定离子束的大小，再经过二次聚焦至试片表面，利用物理碰撞来达到切割之目的 2.主要技术指标：最小分辨率：≤0.9nm@15KV(SE);≤1.7nm@1KV(SE);离子束分辨率：≤3nm@30KV(统计测量法)； 3.主要功能及服务内容：定点切割，利用离子束进行加工并进行分析； |
| 42 | 表酒粗技度 | MITUtoyo | 4.样品要求：固体样品无特殊要求，尽量切小块、薄片状，磁性样品及毒性、放射性样品需要特殊备注 1.设备原理：改设备采用接触式测量原理，利用测量探头在被测表面上移动，记录表面的微小高度变化。测量探头通常由一个 小的硬质材料制成，能够精确地跟踪表面轮廓。设备通过传感器将探头的位移转换为电信号，经过处理后显示出表面粗糙度 的数值。 2.主要技术指标：测量范围：一般为0.025um到10um分辨率：通常可达到0.001um 3.主要功能及服务内容：多种粗糙度参数测量：支持多种粗糙度参数（如Ra、Rz、Rt、Rq等）的测量，满足不同标准需求。 |
| 43 | 表面电阻计 | Prostat | 4.样品要求：适用于金属、塑料、陶瓷等多种材料。被测表面应平整 1.设备原理：通过在被测试物体表面施加恒定电压,测量测试电极之间的电流大小,从而计算出被测试物体表面的电阻值 2.主要技术指标：测试量程：0.010到2.0*1014Ω。精度：1014Ω时：误差不大于土50% 3.主要功能及服务内容：主要用于晶圆盒材料的表面电阻测试 |
| 44 | 静电测试仪 | KLEINWAECHTER | 4.样品要求：无特殊要求 1.设备原理：利用给定的高压电场，对被测试样定时放电，使试样感应静电，从而进行静电电量大小、静电压半衰期、静电残留 量的检测，以确定被测试样的静电性能 2.主要技术指标:静电压量程:0-10KV(1cm测试距离),0-20KV(2cm测试距离),0-50KV(5cm测试距离),0-100KV(10cm测试 距离),0-200KV(20cm测试距离); |
| 静电场强量程：0-20KV/m，0-200KV/m，0-1MV/m,测试精确度：+/-5% 3.主要功能及服务内容：主要用于晶圆盒静电电压测试。 4.样品要求：无特殊要求 1.设备原理：通过将样品固定在旋转台上，并与磨耗介质(如磨料或其他材料)进行接触。设备在设定的转速和时间内，使样品 与磨耗介质之间产生相对运动，从而模拟实际使用条件下的磨损过程。通过测量样品的质量损失或表面变化，可以评估材料 | |||
| 45 | 旋转磨耗仪 | Taber | 的耐磨性能。 2.主要技术指标：样品旋转速度：60和72转每分钟可选下压力：500或1000克标准载荷 3.主要功能及服务内容：主要测试多种材料(如塑料、橡胶、金属等)的耐磨性能，提供关键的材料性能数据。 4.样品要求：适用于适用于多种材料，包括塑料、橡胶、金属、涂层等，但不同材料可能需要不同的磨耗介质和测试条件。但不 同材料可能需要不同的夹具和测试条件。样品表面应保持清洁，无油污、灰尘等附着物，以免影响测试结果。 |
| 号 | 名称 | 厂商 | 设备能力 |
| 46 | 孔隙率测试仪 | 秒准科学 | 1.设备原理：孔隙率分析仪的基本原理是通过测量材料在特定条件下的体积变化，以评估其孔隙率。主要是通过将样品浸入 水中，通过测量水的排出量来计算孔隙体积。 2.主要技术指标：测量范围：通常可以测量的孔隙率范围从0%到100%,具体取决于样品的性质。测量精度：孔隙率的测量精 度通常在土0.1% 3.主要功能及服务内容：主要能够准确测量固体材料的孔隙率，为材料性能分析提供重要数据。 4.样品要求：样品应为固体材料,表面应保持清洁，无油污、灰尘等附着物。该设备适用于多种材料，包括土壤、岩石、建筑材 |
| 47 | 电感测微仪 | TESA | 料、陶瓷、粉末等。 1.设备原理：利用电感线圈产生的电磁场与测量物体之间的相互作用。当测量物体靠近或远离电感线圈时，会引起电感值的 变化。通过精确测量电感的变化，仪器可以计算出物体的位移或厚度变化。电感测微仪通常具有高灵敏度和高分辨率，能够测 量微米级的位移。 2.主要技术指标：测量范围：土5mm测量精度:0.1-1um 3.主要功能及服务内容：主要可用于测量材料的厚度变化。 4.样品要求：适用于金属、塑料、橡胶、复合材料等多种材料，但不同材料可能需要不同的夹具和测试条件。样品表面应平整、 |
| 48 | 振拟运输机 | 宏阔 | 光滑，避免存在裂纹、划痕等缺陷，以免影响测试结果。 1.设备原理：通过施加特定频率和幅度的振动，模拟实际运输过程中可能遇到的振动情况。通过电机驱动振动台或振动平台 产生水平、垂直或多轴振动，再通过控制系统设置振动的频率、幅度和持续时间，确保试验条件符合实际运输环境的标准。 2.主要技术指标：工作平台：1000×1200mm频率范围：100-300rpm 3.主要功能及服务内容：能够模拟各种运输条件下的振动，评估产品的耐久性和可靠性。 4.样品要求：适用于多种材料，包括塑料、金属、电子元件等。 |
| 49 | 激光闪树 | 耐驰 | 1.设备原理：利用激光作为热源，对测试样品进行快速加热。通过测量样品在激光作用下的温度变化，可以推算出其导热系 数。 2.主要技术指标:温度范围:-100°℃C-500℃,氙灯，最大能量10J/Pulse热扩散系数测量范围：0.01mm2/s-1000mm2/s导热 3,致测功能用服务,内容:激)2闪射法,测量范围宽广,可测量除绝热材料以外的绝大部分材料,特别适合于中高导热系数材料 的测量 |
| 50 | 接触角测量仪 | Kruss | 4.样品要求：Φ10mm或10mm*10mm，厚度2mm，上下表面平行 1.设备原理：利用高分辨率的相机或光学系统拍摄液滴的侧面图像，测量液滴与固体表面之间的接触角。接触角的大小反映 了液体对固体的润湿性：接触角小于90°表示亲水性，接触角大于90°表示疏水性。 2.主要技术指标：接触角测量范围：0-180°表面张力：测量范围0.01-2000mN/m接触角测量精度：分辨率0.01°；表面张力 测量精度：分辨率0.01mN/m 3.主要功能及服务内容：主要用于测量不同液体在固体表面上的接触角，评估表面润湿性。。 4.样品要求：适用于多种材料，包括金属、塑料、玻璃、陶瓷等。样品表面应尽量平整,复杂形状可能影响液滴的稳定性和测量 |
| 51 | 摩擦系数仪 | 的准确性 兰光机电 | 1.设备原理：摩擦系数试验仪通过模拟材料间的相对运动过程，精确测量并计算接触面间的摩擦力与正压力之比，即摩擦系数 2.主要技术指标：负荷范围：F=0-5N;精度：0.5级；滑块质量：200g;行程：10mm+60mm;150mm;试验速度：100mm/min; 150mm/min |
| 52 | 氮气检漏仪 | 英福康 | 3.主要功能及服务内容：用于固体材料的摩擦系数测试 4.样品要求：固体薄片状材料，80*200mm（至少6片） 1.设备原理：用氢气分子在真空中扩散的特性，通过将氢气注入被检测物体内部或周围环境中，然后使用氢质谱仪检测周围环 境中是否存在氮气，如果存在，则说明被检测物体存在漏洞或裂缝 2.主要技术指标：氮气最小可检测泄漏率： |
| 53 | 台阶仪 | KLA | 3.主要功能及服务内容：晶圆盒样品或其他腔体检漏 4.样品要求：样品须保持清洁 1.设备原理：主要利用接触式原理进行表面高度差的测量，设备通过对样品表面接触，测量样品表面的高度差，配备先进的数 字信号处理技术，能够对接触信号进行实时分析，提高测量的精度和速度。 2.主要技术指标:测量范围：0-1000um测量精度:0.1nm |
| 3.主要功能及服务内容：主要能够精确测量样品表面的高度差，对于研究材料的表面形貌至关重要。 4.样品要求：样品的尺寸应符合设备的测量范围(小于12寸硅片)，通常要求样品能够适应测量台的大小。 1.设备原理：仪器使用激光或白光干涉技术，通过将光束分成两部分，一部分照射样品表面，另一部分作为参考光束。反射回来 的光与参考光束干涉，形成干涉图样。通过分析干涉图样的相位变化，能够精确计算出样品表面的高度信息，从而获取其轮廓 | |||
| 54 | 表面轮廓仪 | 布鲁克 | 和形貌。 2.主要技术指标：垂直测量范围：0.15nm-10mm测量精度：垂直分辨率 |
| 号 | 名称 | 厂商 | 设备能力 |
| 55 | 光学轮廓仪 | 基恩士 | 1.设备原理：将条纹光照射到对象上。条纹会根据物体的不均匀性而变形。反射光由CMOS接收，并使用三角测量测距根据条纹的 失真确定物体的形状。 2.主要技术指标：宽度测试精确度：土0.005;宽度测试重复性：0≤0.001高度测试精确度：土0.005高度测试重复性：0 |
| 56 | 尘埃粒子 计数器 | 梅特勒-托利多 | 4.样品要求：被测样品尺寸不超过Φ150mm，高度不超过120mm 1.设备原理：来自光源的光线被透镜组聚焦于测量腔内，当空气中的每一个粒子快速地通过测量腔时，便把入射光散射一次， 形成一个光脉冲信号。这一光信号经过透镜组2被送到光检测器，正比地转换成电脉冲信号，再经过仪器电子线路的放大、甄 别，抹出需要的信号，通过计数系统显示出来 2.主要技术指标：(1)测量精度：0.1μm(2)测量范围：0.1~5.0um,最小粒径0.1μm(3)测量通道： 0.1um,0.15um,0.2um,0.25um,0.3μm,0.5μm,1.0um,5.0um(4)流量要求:1.0立方英尺/分钟(28.3升/分钟）(5)测量浓度 限制：≥950,000个/立方英尺10%的损失 3.主要功能及服务内容：晶圆盒样品或洁净室洁净度测试 4.样品要求：无特殊要求 |
| 57 | 微观力学 测试系统 | BIOMOMENTUM | 1.设备原理：主要基于微观力学测试技术，通过施加精确控制的力和位移，测量材料在微观尺度下的力学响应。设备利用高精 度的电机和传感器系统，施加可控的微小力到样品上，通常在微牛顿(μN)到牛顿(N)级别。通过高分辨率的位移传感器，实时 监测样品在施加力下的变形情况。系统配备先进的数据采集和分析软件，能够实时记录测试数据并进行分析，生成材料的力 学性能曲线和其他相关参数。 2.主要技术指标：测量范围：X、Z轴平台行程不小于100mm;Y轴不小于50mm测量精度：位移分辨率为0.1um;力分辨率 为0.01N; 3.主要功能及服务内容：主要用于测试材料的压缩、拉伸、剪切、扭转等多种力学性能。 4.样品要求：样品应符合设备的测试范围，通常要求在微米到几毫米之间，形状应适合夹持和施力。通常适用于多种材料，包 括金属、聚合物、陶瓷等。 |
| 58 | Zeta电位仪 | 马尔文 | 1.设备原理：该设备的工作原理主要基于动态光散射(DLS)和电泳光散射(ELS)技术。动态光散射(DLS)：通过激光照射样品 中悬浮的纳米颗粒，颗粒的运动会导致散射光的强度和相位发生变化。仪器通过分析散射光的时间相关性，计算颗粒的扩散 系数，从而推导出颗粒的粒度分布。电泳光散射(ELS)：通过施加电场，使样品中的颗粒发生移动，颗粒在电场中的迁移速度 与其表面电荷(Zeta电位)有关。仪器通过测量颗粒的迁移速度，利用相关公式计算出Zeta电位。 2.主要技术指标：粒度测量范围：0.3nm-10um测量精度：示值的土0.5%以内；≤0.1um 3.主要功能及服务内容：主要用于溶液粒度和zeta电位的测试。 4.样品要求：适用于溶液样品。样品应为均匀悬浮液，避免气泡和沉淀。 |
| 59 | AFM震子力 | 牛津仪器 | 1.设备原理：通过测量样品表面分子(原子)与AFM微悬臂探针之间的相互作用力，来观测样品表面的形貌。 2.主要技术指标：X,Y方向的扫描范围≥100um，Z方向≥12um；扫描器闭环噪音：XY轴闭环噪音 |
| 60 | 工业CT | Waygate Technologies | 1.设备原理：当经过准直且能量10的射线束穿过被检物时，根据各个透射方向上各体积元的衰减系数从不同，探测器接收到 的透射能量也不同。按照一定的图像重建算法，即可获得被检工件截面一薄层无影像重叠的断层扫描图像。 2.主要技术指标：微焦点射线源：管电压:300KV,分辨率：≤5μm纳焦点射线源：管电压:180KV,分辨率：≤0.8um 3.主要功能及服务内容：利用工业CT可以非接触、非破坏地检测物体内部结构，不仅精确地给出物体内部细节的三维位置数 据,还可以快速、准确、直观的查找到产品的内部缺陷(缺陷类型、位置、尺寸等) 4.样品要求：测试样品尺寸不超过400*400mm*400mm |
| 61 | 四探针 电阻测试仪 | KLA | 1.设备原理：通过四个电极(即四个探针)同时接触到被测试材料的表面,其中两个电极作为输入端，在它们之间施加一个恒 定的电流;另外两个电极作为输出端，测量输入电流通过材料时的电压差。通过测量输入电流的电压差，可以计算出电阻。 2.主要技术指标：测量范围：1mΩ/sq-200MQ/sq单点重复性≤0.2% 3.主要功能及服务内容：主要用于薄膜电阻测试 4.样品要求：最大直径300mm，薄膜厚度小于0.5mm，表面平整 |
| 62 | XRD衍射仪 | 马尔文帕纳科 | 1.设备原理：X射线光管发出的X射线经过光学模块照射到样品上，探测器接收到样品衍射的信号，即样品的衍射图谱，并通过 专业软件进行定性定量分析。 2.主要技术指标：X射线光管：Cu靶1.8KW；最大电压：50KV；最大电流：55mA;转动方式：0/0模式（样品水平放置，X射线光管 及探测器转动）；最小步进：0.001°工作方式：0维(点探测器模式)，1维(阵列探测器模式) 3.主要功能及服务内容：金属和非金属多晶粉末样品进行物相检索分析、物相定量分析、材料的线、面扫描定性分析 4.样品要求：薄膜及粉末样品均可。大小以不超过26毫米直径。 |
| 63 | 维氏硬度计 | QATM | 1.设备原理：基于材料的弹性与塑性变形特性。在测试过程中，金刚石制成的正四棱锥形压头以一定的力压入被测材料表面。 在这一过程中，材料发生弹性变形，随着压入深度的增加，逐渐进入塑性变形阶段。通过精确控制并测量这一过程中的力与位 移关系，从而间接评估材料的硬度。 2.主要技术指标：维氏：HV0.00025~HV60努氏：HK0.1~HK2试验力精度：≤0.5%;视场范围53x40mm 3.主要功能及服务内容：测试多种类型的样品，包括金属材料、非金属材料、复合材料以及电子电器产品等。 4.样品要求：表面质量：表面的粗糙度参数Ra常规试样不大于0.40um，小负荷维氏硬度试样不大于0.20um，显微维氏硬度试 样不大于0.10um；样品尺寸：不大于12cm*15cm |
| 号 | 名称 | 厂冏 | |
| 64 | 阻抗分析仪 （清测密介电编） | HIOKI | 1.设备原理：利用两块平行金属板之间夹持的介质样品形成一个电容器。通过测量这个电容器的电容值可以计算出介电常数。 2.主要技术指标：低频（Φ30mm |
| 65 | 电子万能 试验机 | 拓丰仪器 | 1.设备原理：通过电动机驱动的伺服系统产生可控的拉伸或压缩力，并通过传感器实时监测样品所受的力和变形量。设备通 常配备高精度的负荷传感器和位移传感器，将力和位移信号转换为电信号，通过数据采集系统进行实时分析和显示。试验过 程中，样品在应力作用下的变形和破坏情况被记录下来，从而获得材料的力学性能指标，如抗拉强度、屈服强度、延伸率等。 2.主要技术指标：力测量范围：0-5000N测量精度：示值的±0.5%以内；≤0.1um 3.主要功能及服务内容：主要用于拉伸、压缩、弯曲、剪切等多种力学性能测试。 4.样品要求：适用于金属、塑料、橡胶、复合材料等多种材料，但不同材料可能需要不同的夹具和测试条件。样品表面应平整、 光滑，避免存在裂纹、划痕等缺陷，以免影响测试结果。 |
| 66 | 激光粒度仪 | HORIBA | 1.设备原理：激光粒度仪的原理是光散射。当激光束穿过含有颗粒的样品时，颗粒会散射激光光束。散射光的强度和角度与颗粒 的大小形状和折射率有关。通过检测散射光的这些特性，可以推算出颗粒的粒度分布。 2.主要技术指标：光源:红色固体激光二极管(650nm,5mW);蓝色固体LED(405nm,3mW)湿法测试范围：0.01um-3000μm;； 3.主要功能及服务内容：服务内容：粉体材料的粒径大小,以及在各个粒径区间的分布情况 |
| 67 | ICP-MS | PE | 4.样品要求：粉末样品量：1~5g;液体样品：根据浓度高低提供不同体积的样品，常规1~5ml 1.设备原理：样品由载气带入雾化系统雾化后以气溶胶形式进入等离子体通道，在高温和情性气体中被充分蒸发、解离、原 子化和电离，转化成的带电荷的正离子经离子采集系统进入质谱仪，质谱仪根据离子的质荷比即元素的质量数进行分离并 定性、定量的分析。 2.主要技术指标：灵敏度：9Be≥2000,115In≥8000,238U≥5000,氧化物和和双电荷产率：CeO+/Ce+≤2.5% 3.主要功能及服务内容：测试样品中的金属元素含量。 |
| 68 | ICP-MS | 安捷伦 | 4.样品要求：液体样品20mL以上,固体样品1g以上。 1.设备原理：样品由载气带入雾化系统雾化后以气溶胶形式进入等离子体通道，在高温和情性气体中被充分蒸发、解离、原 子化和电离，转化成的带电荷的正离子经离子采集系统进入质谱仪，质谱仪根据离子的质荷比即元素的质量数进行分离并 定性、定量的分析。 2.主要技术指标：灵敏度：Li≥3000,Y≥12000,TI≥6000;10%峰宽：0.65-0.85amu; 质量轴:Li(7):±0.1amu,Y(89):±0.1amu,TI(205):±0.1amu。 3.主要功能及服务内容：测试样品中的金属元素含量，可链接VPD使用 |
| 69 | ICP-MS | Agilent | 4.样品要求：液体样品20mL以上,固体样品1g以上。 1.设备原理:通过电感耦合等离子体(ICP)电离结合四极杆质谱,配备碰撞反应池消除多原子离子干扰,提供高精度多元素 分析。 2.主要技术指标：测试金杂含量 |
| 70 | PY-GCMS | 安捷伦 | 3.主要功能及服务内容：检测零部件中金属元素含量 4.样品要求：液体，50ml左右 1.设备原理：样品通过高温升华裂解成小分子物质，热解产物利用载气进入色谱，通过气相色谱分离，不同化合物在色谱柱 中因吸附和解吸速度不同而被分离，分离后的化合物进入质谱仪，离子化后根据质荷比(m/z)分离并检测，形成质谱图 2.主要技术指标：裂解温度，分离方法的参数，色谱柱 3.主要功能及服务内容：分离、定性、定量大分子有机物 |
| 71 | TD-GCMS | Marsk-Agilent | 4.样品要求：样品105°C烘干，可为液体、粉末，块体；样品量一般要求20mg以上;样品不能有腐蚀性，危险性 1.设备原理：目标化合物被吸附在特定的吸附剂上，将吸附管置于热脱附仪中，通过升高温度使吸附在吸附剂上的目标化合 物脱附释放出来进入气相色谱仪铜过色谱柱实现分离，根据离子的质荷比(m/z)得到化合物的质谱图，从而确定化合物的 分子量、结构等信息 2.主要技术指标：1.6～1050amu 3.主要功能及服务内容：测试有机化合物 |
| 72 | GCMS | 安捷伦 | 4.样品要求：液体，固体，气体 1.设备原理：样品通过进样针进入气相色谱，其中不同化合物在色谱柱中因吸附和解吸速度不同而被分离，分离后的化合物 进入质谱仪，离子化后根据质荷比(m/z)分离并检测,形成质谱图 2.主要技术指标：分离方法的参数，色谱柱 3.主要功能及服务内容：该仪器仅用于VOCs的测试，用于分离、定性、定量挥发性小分子有机物 4.样品要求：样品为气体 |
| 名称 | 广商 | 设备能力 | |
| 73 | PTR-TOF | TOFWERK | 1.设备原理：挥发性有机物在水存在下电离成带电离子，带电离子在飞行时间质谱仪中分离后，被检测到。 2.主要技术指标：可以测量甲苯、甲醛等挥发性有机物，检测限为20ppb以下。 3.主要功能及服务内容：用于测量固体物质中的部分挥发性有机物。 4.样品要求：块状固体样品。 |
| 74 | 基质辅助激光 解析电高胰联 仪MALDI-TOF | 布鲁克 | 1.设备原理：在激光作用下，基质分子发生电离，产生质子或其他离子，离子转移到样品，使样品分子电离；电离后的样品离子 进入无场飞行管，根据质荷比(m/z)不同，飞行时间各异;质量较小的离子飞行速度较快，先到达检测器；质量较大的离子飞 行速度较慢，后到达检测器。检测器记录离子到达时间，并将其转换为质谱图；通过分析质谱图，可以确定样品的分子量及结 构,信要技术指标:具有[ID和ISD两种MS/MS模式;采用专利的新型smartbam-ITM激光器; 3.主要功能及服务内容：聚合物分子量、重复单元、端基和聚合度分析； |
| 75 | 辉光放电 | Instrments | 4.样品要求：可溶于易挥发溶剂;需提供样品基本结构信息,是否含有杂原子(如O、N或其他杂原子);样品量50mg以上。 1.设备原理：在低压气体环境中产生稳定的辉光放电。样品在放电过程中被原子化和离子化。离子通过电场加速进入质谱分 析器。辉光放电提供了持续的离子源，样品表面逐渐被溅射和分析。 2.主要技术指标;质：测:1~体材料的质量分癌量:杂质~1,00 动态范围：>1012线性范围,增益自动交叉校准 4.样品要求：块状样品：不小于2cm*2cm;粉末或颗粒样品：不少于0.5g |
| 76 | 辉lement | Thermofisher | 1.设备原理：在低压气体环境中产生稳定的辉光放电。样品在放电过程中被原子化和离子化。离子通过电场加速进入质谱分 析器。辉光放电提供了持续的离子源，样品表面逐渐被溅射和分析。 2.主要技术指标:质量范围：1~260amu质量分辨率:300,4000,10,000动态范围:>1012线性范围,增益自动交叉校准 3.主要功能及服务内容：测试固体材料的纯度和痕量杂质含量 4.样品要求:块状样品:不小于2cm*2cm;粉末或颗粒样品:不少于0.5g |
| 77 | LC-QTOF | Waters | 1.设备原理：小分子有机物经过液相分离后,经过大气压电离成带电离子，带电离子在飞行时间质谱仪中分离后，被检测到。 2.主要技术指标：分辨率17500FWHM，,质量范围m/z≥4,000Da。 3.主要功能及服务内容：用于未知的有机小分子化合物定性。 4.样品要求：纯有机小分子化合物,100mg。 |
| 78 | LCMSMS | Waters | 1.设备原理：小分子有机物经过液相分离后,经过大气压电离成带电离子，带电离子在质谱仪中分离后，被检测到。 2.主要技术指标：/ 3.主要功能及服务内容：用于已知的有机小分子化合物定性及定量。 4.样品要求:有机小分子化合物,100mg。 |
| 79 | VOCs预浓缩仪 +清灌仪 +苏玛罐 | ENTECH | 1.设备原理：利用清罐仪3100部分对苏码罐进行反复的抽真空/充氮气的循环，最终使得苏罐处于负压状态，用于提供采样设 备；利用清罐仪4700部分配置VOC测试的标准气体;VOCs预浓缩仪器通过吸附、热脱附和二次浓缩，显著提高VOCs的检测灵 敏度，适用于痕量分析 2.主要技术指标：VOCs的辅助设备 3.主要功能及服务内容：清罐仪主要用于提供干净的采样设备，制备VOC测试的标准气体;VOCs预浓缩仪主要是讲气体进行 浓缩，提高VOC气体的检测灵敏度 |
| 80 | 红外线 升温脱附质 谱仪 | ESCO | 4.样品要求：样品为气体 1.设备原理：该设备通过热脱附技术将样品中的挥发性成分转化为气相，然后利用质谱分析其成分和浓度。通过加热样品或 吸附材料，使样品中的挥发性成分被释放到气相中。这一过程通常在控制的温度和时间下进行，以确保高效的脱附。脱附后的 气体进入质谱仪后，经过离子化、质谱分析和检测，生成质谱图，从而确定样品中挥发性成分的种类和浓度。 2.主要技术指标：升温范围：RT-1200°C荷质比范围：0-200 3.主要功能及服务内容：能够高效分析各种样品中的挥发性物质，并进行定性和定量分析。 4.样品要求：适用于长宽≤1cm厚度小于1mm的薄片状固体样品。含镁金属样品、含卤族元素样品、部分有机化合物样品无 |
| 81 | 热重-红外- (TGA质联用CMS) (TGA-GC-MS) | PE 4.样品要求：粉末或薄膜样品：应不少于20mg；固体样品：直径小于5mm | 法进行测试。 1.设备原理：同步热重分析(STA)同步热分析仪结合了热重分析仪(TGA)和差热分析仪(DTA)或差示扫描量热仪(DSC)的功 能，能够在同一次测量中利用同一样品同步得到热重与差热信息。其工作原理基于热分析技术，通过将样品放置在加热器上， 利用温度控制器精确控制加热器的温度，使样品在加热过程中发生物理和化学变化。检测器实时监测这些变化，并将它们转 化为电信号。这些电信号经过放大和处理后，被输出到计算机或记录仪上，从而实现对样品加热过程的实时监测和分析； 傅里叶红外(FTIR)基于样品中的分子具有特定的振动和转动模式，当这些分子与红外光相互作用时，会选择性地吸收特定频 率的红外辐射，导致分子能级的变化； GCMS:利用物质的沸点、极性和吸附性质差异来分离混合物。在离子源中，各组分被电离成带电荷的离子，这些离子在加速电 场的作用下进入质量分析器。在质量分析器中，利用电场和磁场使离子按质荷比(m/z)分离，形成质谱图 2.主要技术指标：STA:称量精度：可达土0.02%；天平准确度：优于土0.1%温度范围：15~1600°℃C;温度精度：优于土0.2℃;温 度准确度：优于土0.3°℃CDSC:量热精度：优于土0.1%；量热准确度：优于土2%FTIR:波长范围：8300-350cm-1;分辨率：优于 0.45cm-1;GCMS:质量范围m/z:1-1190amu;线性范围:≥106;灵敏度:EIScan模式,1pg八氟萘FN,m/z272S/N>1500:1 3.主要功能及服务内容：STA可以测试分析样品的热稳定性能、多组分分离分析、玻璃化转变温度、熔点、结晶性能、固化性能、 分解温度以及分解动力学、分解热、氧化诱导过程等性能，适用于高分子材料、精细化工、无机材料等。GCMS可用于有机物 的定性，定量分析，适用于各种半导体材料分析 |
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